Что такое двухранговая память

Ранги оперативной памяти: что это такое, как узнать и какая лучше

Итак, оперативная память имеет следующие ключевые параметры:

И вроде, чтобы определить, насколько эффективна будет работа оперативной памяти, этого достаточно. Но если ввести еще одну переменную — ранг (rank, ранк) — она с ног на голову перевернет привычную парадигму выбора ОЗУ.

Что такое ранг оперативной памяти?

С приходом на рынок AMD Ryzen в инфополе массово заговорили о рангах оперативной памяти и их чудесных свойствах, особенно для любителей оверклокинга. Но для большинства пользователей понятие о «ранговости» свелось к размещению чипов памяти на текстолите ОЗУ:

Однако это неверное представление, ведь есть еще и применяемая в серверных системах четырехранговая и восьмиранговая память, которые в эту классификацию не вписываются. Предлагаем разобраться в этом подробнее.

Термин «Ранг» (ранк, rank) обозначает одномоментную передачу по шине блока данных плотностью 64 бита (72 бита для серверной ECC-памяти). В простейшем понимании, одноранговый DIMM-модуль (1R) содержит в себе 64-битный фрагмент информации, которым он за один такт работы делится с процессором.

Максимальный объем однорангового модуля типа DDR4 — 8 ГБ, если память набиралась кристаллами по 1 ГБ. В этом случае, за основу можно было взять следующую константу:

Если на текстолите распаяно 16 ГБ по 8 кристаллов в 1 ГБ с двух сторон — это двухранговая память (2R).

В нынешнее время, современная память может быть набрана модулями, где кристаллы наслаиваются друг на друга, увеличивая емкость каждого вдвое.

Не так давно Samsung, Hynix, Micron и другие производители начали выпускать кристаллы повышенной плотности уже на 2 ГБ, поэтому емкость ОЗУ на кристаллах новой версии емкость 1R увеличилась до 16 ГБ.

Итого, в итоге имеем схему:

1 ранк = 8 ГБ (кристаллы «старой» версии по 1 ГБ);

1 ранк = 16 ГБ (кристаллы «новой» версии по 2 ГБ).

Память 4R встречается в продаже только в серверном сегменте. Визуально она выглядит так же, как и двухранговая, но при этом на одной стороне распаяно сразу два ранга (2 блока по 8 ГБ + кристалл коррекции ошибок). Программно модуль настроен таким образом, чтобы каждый из независимых блоков мог передавать по 72 бита информации за раз.

Аналогично для 8R-памяти, только она еще сложнее технически и программно.

В целом, принцип работы многоранговой памяти можно представить так:

В один момент времени работает только часть кристаллов — один ранк. А остальная «грядка» тем временем накапливает заряд и ищет внутри себя данные, чтобы отдать их процессору по шине.

Отличие одноранговой памяти от двухранговой на практике

На данный момент обойти лимит в 64 (72) бита за такт физически невозможно, поскольку так устроена работа стандарта DDR4. Но инженеры тоже не просто так едят свой хлеб, поэтому они додумались обойти ограничения довольно забавным способом: заставили чипы работать попеременно, фактически передавая 128 (144/288) бит вместо 64 (72).

Что это дает на практике? Разберем на примере сервера HPE ProLaint DL380 Gen10. Возьмем за основу тот факт, что в корпусе установлен один процессор Xeon Platinum 8ххх, поскольку у него самые широкие возможности. К тому же, чип поддерживает планки до 128 ГБ. Умножим это число на 12 (столько слотов ОЗУ выделено под процессор) и получим 1536 ГБ. Такого результата можно добить только с использованием 8R-планок с кристаллами по 2 ГБ.

Но тут стоит понимать, на серверной памяти DDR4 расположено 288 контактов, каждый из которых передает 1 бит данных. Если вдарить по всем потокам, ОС запестрит ошибками, поскольку больше 72 бит переварить не может. С 4R/8R-планками все еще сложнее: некоторые выдают только 36 бит вместо 72, и именуются Load-reduced Memory (LRDIMM), комплект с пониженной нагрузкой).

Т.е. вы получаете больший объем, но сниженную производительность. Тайминги у такой памяти ниже, задержка доступа — выше, частота работы не превышает 2933 МГц для Xeon Platinum, 2666 МГц для Gold, 2400 для Silver и 2133 для Bronze.

Также сервер не позволит использовать память с разной ранговостью. Если вставили модуль 2R, будьте добры добавлять такие же, иначе сильно потеряете в скорости и стабильности.

В защиту 2R/4R скажем следующее:

Но не забывайте, что полностью раскрыть потенциал многоранговой оперативной памяти можно только при правильно подобранном процессоре. Более подробную информацию вы сможете получить у консультантов компании Маркет.Марвел.

Какой ранг памяти лучше?

Выбирая, что лучше: одноранговая или двухранговая оперативная память, стоит опираться на частотные показатели и объем передаваемых данных. Двухранговая память с частотой 3000 МГц обгоняет по производительности одноранговый модуль при частоте в 3333 МГц.

Также владельцы двухранговой памяти получают следующие преимущества:

Также двухранк, еще и в двух/четырех/шестиканале как нельзя кстати открывает себя в системах с интегрированной графикой, где GPU-модуль процессора черпает память напрямую из ОЗУ. Тут чем быстрее происходит шевеление информации — тем лучше.

Как узнать ранг оперативной памяти по маркировке?

Маркировка оперативной памяти разнится от производителя к производителю, но наиболее распространенными вариантами являются буквенные маркеры:

Также распространена маркировка формата 1Rх4, 2Rх8, 2Rх16, 4Rх4.

Первая часть — 1R, 2R, 4R, 8R — означает ранг.

А вторая х4, х8, х16 — то, сколько байтов за такт способен передавать каждый кристалл на планке.

Чтобы наработать скиллы по чтению маркировки, возьмем за пример память от HPE, поскольку она частенько встречается в серверном сегменте. У этого производителя маркировка планок памяти выглядит так:

Закрепляем результат следующими примерами:

Остались вопросы? Задайте их нашим консультантам и получите исчерпывающий ответ. Мы готовы предложить вам наилучшее решение для вашего оборудования, которое позволит получить максимум производительности.

Ранги оперативной памяти: что это такое, как узнать и какая лучше

Источник

Как выбрать оперативную память

Оперативная память не менее важный компонент персонального компьютера, чем процессор или видеокарта. Но выбрать хорошую и, что главное, подходящую оперативку, пожалуй, даже сложнее.

Как узнать, какая оперативная память установлена в ПК

Проще всего это сделать с помощью утилиты CPU-Z. Программа покажет не только объем, но и название производителя чипов памяти. В нашем случае производитель планок памяти — Corsair, а чипов памяти — Micron.

Кроме того, CPU-Z выводит и множество другой полезной информации: тайминги, количество установленных модулей, объем одного модуля, режим работы (двухканальный или одноканальный) и ранг памяти. Подробнее читайте в нашей статье «Как узнать, какая оперативная память установлена на компьютере с Windows».

Сколько оперативной памяти нужно

Чтобы ответить на этот вопрос, нужно знать, для каких целей используется компьютер. Если нужно только посидеть в соцсетях, посмотреть видео или выполнить другие несложные задачи, то будет достаточно 8 или на худой конец 4 гигабайт.

Однако для более комфортной работы необходимо 16 гигабайт. Даже интернет-серфинг может съедать очень много оперативной памяти. Если открыто всего несколько вкладок, то это не критично. Но если их штук 60 (при активной работе так бывает), то 8 гигабайт уже вряд ли хватит. Ведь кроме браузера, есть еще множество других процессов, которым тоже нужна свободная память.

Для бюджетного гейминга можно начать с 8 гигабайт, но оптимально — 16 гигабайт. Большие объемы пока не дают существенного преимущества, но если вы собираетесь стримить или нужна многозадачность, лишними не будут и 32 гигабайта. Также большой объем памяти всегда пригодится для профессиональных приложений, монтажа видео, обработки фото или 3D-моделирования.

Что такое частота и тайминги

Основные характеристики, по которым можно судить о производительности памяти — это частота и тайминги. Например, такие: 3600 МГц и 17−21−21−32. В идеале частота должна быть как можно выше, а тайминги при этом как можно ниже.

Тем не менее переплачивать за дорогие комплекты памяти стоит, только если вы знаете, зачем вам это нужно. В зависимости от сценария использования разница в производительности может быть несущественной. Кроме того, быстрые комплекты памяти будут бесполезны, когда производительность ограничивает другой компонент системы. Поэтому быструю память следует покупать к топовым комплектующим.

Выбирать комплект памяти следует в зависимости от платформы. На Intel до 11-го поколения разгон памяти доступен только на топовом Z-чипсете. К примеру, процессоры 10-го поколения Core i3 и i5 будут работать на частоте 2666 МГц, а Core i7 и i9 — на 2933 МГц, если материнская плата не поддерживает разгон. Если материнская плата на Z-чипсете, то достаточно будет выбрать профиль XMP с более высокой частотой, например 3600 МГц.

На 11-м поколении процессоров Intel присутствует делитель памяти с двумя режимами (Gear 1 и Gear 2), который может ограничивать частоту работы контроллера памяти до половины частоты ОЗУ. Согласно тестам, контроллер памяти работает в режиме Gear 1 (т. е. на синхронной с ОЗУ частоте) до 3600 МГц включительно. Если выставить частоту памяти выше, то включается Gear 2. Если же вы не собираетесь разгонять память, нужно придерживаться рекомендуемых значений Intel.

На AMD все несколько проще, так как все материнские платы AM4 позволяют разгонять память. На свежих чипсетах X570, B550 и A520 вполне можно ставить память 3600 МГц. На предыдущих поколениях все будет зависеть от конкретной связки материнской платы и процессора. На каких-то конфигурациях может работать 3600 МГц, а может не «завестись» 3200 МГц. Если не уверены, что дорогой комплект памяти заработает, лучше придерживайтесь рекомендаций производителя. Не мешает также ознакомиться со списком поддерживаемой памяти от производителя материнской платы.

Вообще, все что выше заявленной поддерживаемой частоты, уже будет считаться разгоном, и каких-либо гарантий в этом случае нет. Производители памяти указывают гарантированную частоту, но достижима ли она на вашей системе — большой вопрос.

Что важнее частота или тайминги? Обе характеристики важны, но отталкиваться нужно в первую очередь от таймингов. Разгон зачастую работает таким образом, что, повышая частоту, придется повышать и тайминги. И это не всегда оправдано. Если память стабильно работает только при высоких таймингах, то производительность может даже упасть. То обычно выгоднее снизить частоту, чтобы обеспечить более низкие тайминги.

Количество модулей и двухканальный режим

Чтобы память работала в двухканальном режиме, нужно как минимум 2 планки памяти. Есть также и четырехканальный режим, но он реализован на системах для энтузиастов и профессионалов, например, на сокете LGA 2066.

В двухканальном режиме производительность существенно вырастает, поэтому пренебрегать им — идея так себе. Память лучше сразу брать комплектом из двух планок. В крайнем случае можно купить одну планку и добавить вторую такую же через некоторое время.

Важно учитывать количество слотов на материнской плате. Если их четыре, то можно взять два модуля меньшего объема: 2 модуля по 4 гигабайта, вместо одного на 8 гигабайт. Тогда и возможность апгрейда остается, и двухканальный режим будет работать сразу. В некоторых случаях производительность будет даже выше. Однако это не всегда справедливо. Так, на системах с Ryzen первого поколения наблюдались проблемы с увеличением частоты памяти при использовании 4-х модулей.

Важно также устанавливать комплект памяти в правильные слоты на материнской плате. Если на материнской плате 4 слота, то память вставляется не в соседние слоты, а через один. Парные слоты могут быть одного цвета.

Также, если вы устанавливаете разные комплекты памяти, то могут не работать профили XMP. Память запустится с автоматическими настройками на штатной частоте. Наилучший вариант, конечно, купить сразу готовый комплект нужного объема, чтобы избежать проблем с совместной работой разных модулей.

Нужен ли радиатор

Наличие радиатора не играет решающей роли по цене, чтобы на этом можно было серьезно сэкономить. Другое дело, если вы ищете самую дешевую память, скорее всего, это окажется простой модуль зеленого цвета без охлаждения и с не самыми лучшими характеристиками.

Как правило, если память работает в штатном режиме с небольшим напряжением, то дополнительное охлаждение не нужно. Тем не менее, среди высокочастотной памяти вы и вовсе не найдете «голых комплектов», поэтому вопрос не актуален. В крайнем случае всегда можно заказать комплект радиаторов с Aliexpress.

В любом случае охлаждение не повредит. Единственный момент — радиаторы увеличивают габариты планок, и это может помешать установке, если у вас, например, громоздкая система охлаждения процессора.

Если же вы реально хотите сэкономить, то лучше откажитесь от подсветки модулей. Хотя и в этом случае разница может быть несущественной, даже в модельном ряду одного производителя.

Что такое XMP

XMP или Extreme Memory Profiles представляет собой готовые настройки параметров работы оперативной памяти, которые можно применить в BIOS для автоматического разгона. У AMD аналогичная технология называется DOCP.

В отличие от ручного разгона вы сможете активировать только те режимы работы, которые зашиты в профиль. Также будут доступны только совместимые с оборудованием профили. То есть вы не получите частоту выше 2666 МГц на все том же Intel Core i5-10400 °F. Однако если материнская плата под Intel позволяет разгонять память, то даже с этим процессором (без индекса К) все будет работать.

Обратите внимание, не все материнские платы и модули памяти поддерживают XMP. Проверяйте совместимость заранее.

Двухранговая и одноранговая память

Ранг памяти — это область памяти с шириной 64 бита, образованная определенным количеством чипов, которые распаяны на плате. Если память двухранговая, то, говоря простым языком, она представляет собой два виртуальных модуля.

Для простого пользователя важно знать, что двухранговая память обычно дает небольшое преимущество в производительности. Однако беспокоиться о ранге памяти стоит лишь владельцам топовых комплектующих. В том случае, если нужно выжать максимум кадров в секунду. В остальных случаях разницу в производительности можно и вовсе не заметить.

Как опознать двухранговую и одноранговую память? Если в характеристиках памяти не указан ранг, то проверить его можно несколькими способами. Во-первых, можно посмотреть ранг в программе CPU-Z. Однако такой вариант доступен лишь после покупки, поэтому подойдет не всем.

Во-вторых, до приобретения комплекта можно понять по внешнему виду модуля, если он не прикрыт радиатором (или если есть возможность заглянуть под него). Обычно, но не всегда, память, у которой чипы распаяны с обеих сторон, — двухранговая. В действительности дело вовсе не в расположении чипов. Но еще лучше посчитать количество самих чипов. Если их 8 — память одноранговая, 16 — двухранговая. То есть 8 чипов по 8 бит дают в итоге массив 64 бита.

Также стоит помнить, что модули памяти на 8 гигабайт в основном одноранговые, на 16 чаще встречаются двухранговые, а на 32 они всегда двухранговые.

Источник

Как отличить одноранговую память от двухранговой

Если с двухканальной оперативной памятью все более-менее понятно (четное количество модулей работает быстрее нечетного), то термин «двухранговая память» знаком уже куда меньшему числу компьютерных энтузиастов. Более того, даже те немногие, кто знают о двухранговости, не могут однозначно ответить, хорошо это или плохо. И действительно, двухранговая память имеет как преимущества, так и недостатки. Что же из них сильнее перевешивает, давайте вместе разбираться.

Single Rank vs Dual Rank

Ранг памяти — это количество массивов из микросхем памяти разрядностью 64 бита каждый, распаянных на одном модуле памяти. Проще говоря, это два виртуальных модуля на одном физическом. Самыми распространенными являются одноранговые (Single Rank) и двухранговые планки памяти (Dual Rank), но изредка встречаются и четырехранговые (Quad Rank).

Нехотя напрашивается аналогия с физическими и виртуальными ядрами процессора — Intel Hyper-Threading и AMD SMT. Некое сходство действительно есть: одна двухранговая планка памяти быстрее одноранговой (Single Channel), но медленее двух одноранговых, работающих в двухканальном режиме (Dual Channel).

На данный момент преобладающее большинство модулей памяти DDR4 объемом 4 или 8 ГБ являются одноранговыми (распаяно четыре или восемь чипов по 1 ГБ), а объемом 16 ГБ — двухранговыми (шестнадцать чипов, то есть два массива). Впрочем, в продаже все еще можно встретить старые 8-гиговые двухранговые планки (16 чипов малой плотности 512 МБ).

А с появлением первых чипов повышенной плотностью 2 ГБ в продажу начали поступать одноранговые 16-гиговые (один массива из 8 чипов) и двухранговые 32-гиговые модули (16 чипов). Четырехранговые 32-гиговые планки (32 чипа, четыре массива) — совсем уж диковинка.

Проще говоря, если чипов на планке памяти до восьми штук включительно — она одноранговая, а если шестнадцать — двухранговая. С теорией более-менее разобрались, теперь же проведем практическое тестирование на примере парочки двухранговых 16-гиговых модулей Apacer DDR4 суммарным объемом 32 ГБ.

Apacer DDR4 — серия бюджетной оперативной памяти для современных компьютерных платформ Intel LGA1151-v2 и AMD AM4. Текстолит моделей с частотой 2133 и 2400 МГц окрашен в олдскульный зеленый цвет, а 2666-МГц моделей — в уже более современный черный. На выбор доступны модели объемом 4, 8 и 16 ГБ. Первые два варианта — одноранговые, тогда как последний — двухранговый.

Готовых заводских наборов на два или четыре модуля не предусмотрено, только отдельные планки. Поэтому если планируете заняться оверклокингом, советуем покупать в одном магазине и в одно время. Чтобы уж наверняка попались чипы из одной партии с примерно одинаковым коэффициентом утечек тока и разгонным потенциалом.

Пожалуй, самыми интересными являются планки Apacer DDR4 объемом 16 ГБ и частотой 2666 МГц. Построены они на шестнадцати чипах Hynix A-die (по данным приложения Thaiphoon Burner), то есть являются двухранговыми. Парочка таких модулей позволяет собрать ПК на процессоре AMD Ryzen с высокой пропускной способностью подсистемы памяти — двухканальная и одновременно двухранговая.

Правда, большое количество чипов повышает нагрузку на встроенный в процессор контроллер памяти. Из-за этого частота памяти, которую можно выжать из памяти ручным разгоном, будет ниже, а тайминги (задержки) наоборот выше. Даже по умолчанию Apacer DDR4-2666 16 ГБ работает на таймингах CL19 вместо типичных для этой частоты CL17.

Конфигурация тестового стенда

Результаты бенчмарков

Для сравнительного тестирования одноранговых и двухранговых модулей был нарочно выбран наиболее чувствительний к пропускной способности памяти процессор — Ryzen 3 2200G. В его случае шина памяти делится между четырьмя вычислительными ядрами Zen и встроенным графическим ускорителем Vega 8 с 512 микроядрами. Дополнительная дискретная видеокарта не использовалась.

Оверклокерских рекордов с двухранговой Apacer DDR4 установить ожидаемо не получилось — она разогналась с базовых 2666 лишь до 2933 МГц, что впрочем тоже неплохо. Из одноранговых модулей как правило можно выжать на сотню-две мегагерц больше. Впрочем, это ограничение может быть и по вине материнской платы Biostar B450GT3 с пока еще сыроватой прошивкой BIOS.

Тестирование проводилось в приложении AIDA64, а точнее встроенном в него бенчмарке памяти и кеша, а также в старенькой, но как раз хорошо подходящей для интегрированной видеокарты игре — Tomb Raider (2013) при разрешении FullHD и высоких настройках графики. В нее тоже встроен бенчмарк, раз за разом прогоняющий одну и ту же демо-сцену, что минимизирует погрешность замеров частоты кадров.

Так, скорость чтения, записи и копирования двургановой памяти Apacer DDR4 2666 МГц в бенчмарке AIDA64 оказалась примерно на 7 процентов больше, чем у одноранговой памяти с аналогичной частотой. Ручной разгон до 2933 МГц прибавил еще около 5 процентов быстродействия. На эти же 5 процентов у двухранговой памяти ниже латентность, то есть задержки, измеряемые в наносекундах.

Фреймрейт в игре Tomb Raider в случае двухранговой памяти был пусть немного, всего на 2 кадр/с, но стабильно выше одноранговой. Еще парочку кадров в секунду прибавил оверклокинг памяти. Больше бесплатных FPS можно получить, разогнав по ядру интегрированную видеокарту Vega 8. Но для этого желателен хотя бы небольшой башенный кулер, тогда как мы, ради чистоты эксперимента, проводили тестировании на боксовом.

Выводы

Как показало тестирование, двухранговые модули ОЗУ (с двумя виртуальными каналами памяти) однозначно быстрее одноранговых при равной частоте — выигрыш составляет от 5 до 7 процентов. Цифры, вроде, и небольшие, но получить прирост быстродействия памяти всегда труднее, чем любого другого компонента ПК. Если лень заморачиваться с оверклокингом, то покупка двухранговых модулей — самый простой и эффективный способ ускорить подсистему памяти ПК. А в случае процессоров с мощной интегрированной графикой (AMD Vega и Intel Gen11), двухранговая память прямо-таки обязательна к покупке.

Процессоры Intel работают почти с любой ОЗУ, а вот Ryzen и Threadripper, XMP, частота памяти, задержки, Infinty Fabric, о дноранговая, двухранговая и четырёранговая память и другие слова запутывают некоторых пользователей, особенно при сборке нового ПК для 3 D рендера, монтажа и для других дизайнерских нужд.

Вот что Википедия говорит о многоранговом режиме оперативной памяти:

Давайте посмотрим что лучше одноранговая или двухранговая память для Ryzen и как тип памяти влияет на результаты некоторых наших самых популярных бенчмарков.

Одноранговая или двухранговая память для Ryzen

1. Cinebench R15

2. Cinebench R20

Не похоже, чтобы в Cinebench R20 была какая-нибудь разница между четырёх- и одноранговой памятью. В этом тесте получались очень разные результаты, поэтому сложно было вывести что-то среднее. Результаты в пределах одного теста могли отличаться на +/- 100 баллов.

3. VRAY CPU Benchmark

Поскольку тест производительности процессора VRAY выдаёт разницу всего в 1 секунду, трудно понять, есть ли какая-либо разница между одно-, двух- и четырех ранговой памятью. Всё же результаты были постоянными на протяжении многих тестов, никогда особо не отклоняясь от 1:17/ 1:18 минут.

4. Redshift и Octane

Тем не менее, после нескольких тестов, результат таков: р азличия во времени тестов находятся в пределах погрешности.

Заключение

Наше тестирование одноранговая или двухранговая память ddr4 для ryzen завершено. Единственный тест, в котором был постоянный прирост в производительности от многоранговой памяти — это Cinebench R15. Четырёхранговая память даёт 1.2% прироста над одноранговой. Кажется, что вс е бенчмарки не очень требовательны к памяти из-за того, что сцены в них очень просты и нет смысла обращаться к большим объемам памяти во время рендеринга.

Вполне может случиться так, что вы заметите несколько большее повышение производительности с четырёхранговой памятью на платформе Threadripper, в зависимости от задач и свойств ваших проектов.

Применительно к современным 64-битным модулям памяти это число означает количество наборов микросхем, разрядность каждого из которого составляет в сумме 64 бита(72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC), подключенных к управляющей линии Chip Select (выбор микросхемы).

Объясняя очень грубо, двухранговый модуль — это два логических модуля, распаянных на одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом. Четырёхранговый — то же самое, но уже в четырёхкратном масштабе. Бывают даже восьмиранговые модули

Зачем и кому это нужно. Исключительно в серверах и тяжелых рабочих станциях, для достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве слотов. При этом суммарное количество этих самых rank на канал также ограничено (иногда ограничение зависит от скорости), поэтому, при прочих равных условиях, двухранговый модуль выгоднее четырёхрангового, поскольку создаёт меньшую нагрузку на чипсет.

Узнать этот параметр можно из документации на модуль памяти у производителя, например у Kingston чисто рангов легко вычислить по буквам одной из трёх букв в середине маркировки: S(Single — одногоранговая), D(Dual — двухранговая), Q (Quad — четырёхранговая).

Остальные важные понятия:

CL CAS Latency, CAS — это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память. tRAS Activate to Precharge Delay — минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти. tRCD RAS to CAS Delay — задержка между сигналами, определяющими адрес строки и адрес столбца. tRP Row Precharge Delay — параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS, т.е. время, через которое контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки. Буферизованная (Registered) Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе. Количество контактов (от 144 до 244 ) Количество контактных площадок, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте для оперативной памяти на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Следует также иметь в виду, что помимо одинакового количества контактов должны совпадать и «ключи» (специальные вырезы на модуле, препятствующие неправильной установке). Количество модулей в комплекте Количество модулей памяти, продающихся в наборе. Помимо одиночных планок часто встречаются комплекты по два, четыре, шесть, восемь модулей с одинаковыми характеристиками, подобранных для работы в паре (двухканальном режиме). Использование двухканального режима приводит к значительному увеличению пропускной способности, а, следовательно, к увеличению скорости работы приложений. Следует отметить, что даже два модуля с одинаковыми характеристиками одного производителя, приобретенные по отдельности, могут не работать в двухканальном режиме, поэтому, если ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим работы памяти и для вас важна большая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить внимание именно на комплекты из нескольких модулей. Количество ранков Количество ранков модуля оперативной памяти. Ранк — область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита (72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти, т.е., например, если максимально может быть установлено восемь ранков и поставлено четыре двухранковых модуля, то в свободные слоты уже нельзя установить дополнительные модули, т.к. это приведет к превышению лимита. По этой причине одноранковые модули имеют более высокую стоимость, чем двух- и четырехранковые. Количество чипов каждого модуля (от 1 до 72 ) Количество чипов на одном модуле памяти. Микросхемы могут располагаться как с одной, так и с обеих сторон платы модуля. Напряжение питания Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение. Низкопрофильная (Low Profile) Модуль памяти, имеющий уменьшенную высоту по сравнению со стандартным размером, может быть установлен в серверных корпусах небольшой высоты. Объем одного модуля (от 0.03125 до 32.0 Гб) Объем памяти одного модуля.
Суммарный объем памяти системы рассчитывается путем сложения объемов памяти установленных модулей. Для работы в интернете и офисных программах достаточно 2 Гб. Для комфортной работы графических редакторов и современных игр необходимо минимум 4 Гб оперативной памяти. Поддержка ECC Поддержка Error Checking and Correction — алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм. Пропускная способность Пропускная способность модуля памяти — количество передаваемой или получаемой информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и тем выше стоимость модуля (при совпадении остальных характеристик). Радиатор Наличие специальных металлических пластин, закрепленных на микросхемах памяти для улучшения теплоотдачи. Как правило, радиаторы устанавливают на модули памяти, рассчитанные на работу при высокой частоте. Совместимость Модели ПК или ноутбуков, для которых предназначен модуль памяти. Помимо модулей широкого применения некоторые производители выпускают память для определенных моделей компьютеров. Тактовая частота Максимальная частота системного генератора, по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т.к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается в единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм и другим приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость. Тип Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте.
DDR2 SDRAM — поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.
DDR3 SDRAM — следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию «удвоения частоты». Основные отличия от DDR2 — способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.
В модулях DDR3 используются «ключи» (ориентирующие прорези), отличающиеся от «ключей» DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 — стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 — 1.2 В. Для сравнения, у «обычных» модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) — синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.
При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы — совместимость с различными модулями памяти. Упаковка чипов Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонней и односторонней упаковкой. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы. Форм-фактор Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор — это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) — на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) — модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.
Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) — еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM — форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.

Источник